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中國存儲器產業發展的三條路徑

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CobiNet(寧波)推薦文章: [摘(zhai)要(yao)] 構建中國(guo)存儲器(qi)的(de)夢(meng)一步步在向前推進(jin),繼今年4月武(wu)漢“新芯”宣布(bu)動工,公布(bu)了宏偉(wei)的(de)規(gui)劃蘭圖。如今紫光(guang)入圍,成立長(chang)江存儲科技有限(xian)責任(ren)公司(si),并推選(xuan)趙偉(wei)國(guo)當董(dong)事長(chang),丁文武(wu)當副(fu)董(dong)事長(chang),表明項目再次(ci)取得實質性的(de)進(jin)展。

構建中國存儲器的夢一步步在向前推進,繼今年4月武漢 新芯 宣布動工,公布了宏偉的規劃蘭圖。如今紫光入圍,成立長江存儲科技有限責任公司,并推選趙偉國當董事長,丁文武當副董事長,表明項目再次取得實質性的進展。

中國(guo)下決(jue)心做(zuo)存儲器芯片(pian),是個特別重大(da),而又十分艱(jian)難的(de)(de)(de)決(jue)定。國(guo)內外對(dui)于(yu)項(xiang)目(mu)上馬(ma)的(de)(de)(de)看法(fa)差(cha)異很(hen)大(da),就目(mu)前非常有限的(de)(de)(de)資料來(lai)判斷(duan),一(yi)定取得勝算的(de)(de)(de)把握可能尚不好預測。

中國存儲(chu)器業的(de)發展(zhan)剛剛啟步(bu),目(mu)前存儲(chu)器有三個(ge)方(fang)面(mian)的(de)力量(liang)正在(zai)聚集(ji),一是(shi)(shi)政府主導的(de)武漢(han)新芯,它(ta)(ta)們與(yu)Spansion及中科院微電(dian)子所等(deng)合(he)作(zuo),據說己經有9層(ceng)3DNAND樣品;二是(shi)(shi)紫光,它(ta)(ta)的(de)策略是(shi)(shi)先通過兼并(bing),達到(dao)一定高度之后再自行研(yan)發;三是(shi)(shi)兩個(ge)地方(fang)政府,福建與(yu)合(he)肥,它(ta)(ta)們試圖尋(xun)找技術伙伴,或者挖技術團隊(dui)后再前進(jin)。

總體上產業發展的三條路徑,研發,兼并及合資,合作都是十分有效,然而經過一段時間的實踐,有一定進展,但是情況也有些變化。

兼并

紫光(guang)把(ba)希(xi)望(wang)寄于(yu)通過兼并,讓中國(guo)(guo)的(de)(de)存(cun)儲器業的(de)(de)起(qi)點抬高(gao),再進行自主(zhu)研發。這樣的(de)(de)思維(wei)聽(ting)起(qi)來是務(wu)實(shi)(shi)的(de)(de),然而(er)由于(yu)中國(guo)(guo)處(chu)在特定環(huan)境下,許多正(zheng)常的(de)(de)兼并貿(mao)易(yi)都被(bei)美(mei)(mei)國(guo)(guo)CFIUS否決。綜合起(qi)來近(jin)時期紫光(guang)的(de)(de)實(shi)(shi)踐,欲聯手美(mei)(mei)光(guang)等,希(xi)望(wang)能得(de)到技術(shu)(shu)支持的(de)(de)想(xiang)法恐(kong)怕(pa)難以實(shi)(shi)現。更有(you)傳聞欲學習臺(tai)灣地區的(de)(de) 華亞科 模式(shi),由中方出資,美(mei)(mei)光(guang)技術(shu)(shu)主(zhu)導,最終成為美(mei)(mei)光(guang)在全(quan)球布局(ju)的(de)(de)一部分。如果是這樣的(de)(de)結局(ju)恐(kong)怕(pa)有(you)違于(yu)中國(guo)(guo)開初建(jian)設存(cun)儲器芯片事業的(de)(de)初衷。

因此現階段的兼并之路恐難以(yi)為繼。

合資與合作

福建(jian) 晉華 開創出一條新路。原本依制(zhi)鞋,服裝出口為主的僑鄉(xiang),試圖產業轉型進入存儲器(qi)芯片制(zhi)造領域,近期還(huan)得到(dao)大基(ji)金等的支持。

晉華的(de)(de)模式很清晰,中方出資(zi),技(ji)術上依賴聯(lian)電,最終經(jing)營的(de)(de)盈利(li)還分成給聯(lian)電,是個兩岸合作雙贏的(de)(de)模式。關鍵是它們選擇利(li)基(ji)型DRAM作為(wei)突破(po)口。

那么什么是利(li)基型(xing)DRAM?全球DRAM從應(ying)用可(ke)分(fen)(fen)成五類,分(fen)(fen)別(bie)(bie)是標準型(xing)(PC等(deng)應(ying)用),服務器,行動式,繪圖用及利(li)基型(xing)(消費類consumer)。2015年的(de)DRAM市場中五類產品(pin)的(de)占比分(fen)(fen)別(bie)(bie)為(wei)26%,22%,38%,6%及6%,并預測2016年分(fen)(fen)別(bie)(bie)為(wei)19%,24%,42%,6%及8%。表示利(li)基型(xing)DRAM的(de)市場己(ji)擴大30%。

由于利基型DRAM是(shi)客制化為主(zhu),屬于小(xiao)眾市場(年總銷售額(e)才(cai)約(yue)35億美元(yuan),而整(zheng)個(ge)DRAM市場在350-400億美元(yuan)),采用相對成熟的(de)制程。開初國內業界對于選(xuan)擇聯(lian)電作為DRAM的(de)技(ji)術合作伙(huo)伴有(you)些質疑,也是(shi)可以理解的(de)。

然(ran)而任(ren)何(he)事應(ying)該看(kan)它作什么?用最后的(de)(de)結果來回答(da)。剛(gang)開始就貼上 標簽 ,未(wei)必一(yi)定(ding)正確。據目前(qian)的(de)(de)判斷(duan)聯電在選擇利基(ji)型(xing)DRAM作為中國存儲器(qi)業(ye)的(de)(de)突破口可能(neng)是步好(hao)棋。

因為利(li)基型(xing)DRAM主要用于液晶(jing)電視、數(shu)字機頂盒、播放機等(deng)消費型(xing)電子等(deng)相關產品中(zhong),多數(shu)是采用成熟制程。

利基(ji)(ji)型(xing)DRAM需求相當(dang)穩定,很(hen)多都是客制化晶片(pian),不屬于大眾規格(ge)產品(pin),不像標準(zhun)型(xing)DRAM會(hui)因(yin)為價格(ge)下跌使得容量倍增,影響(xiang)利基(ji)(ji)型(xing)DRAM漲價的主(zhu)要(yao)因(yin)素是以供給端(duan)為主(zhu)。

目前全(quan)球最大的利基型DRAM供應商(shang)為海力士,南亞科和華邦則是陸(lu)續轉戰此(ci)領(ling)域,此(ci)外(wai)還有IC設計公司晶豪科、鈺創、力積,IC測試(shi)廠泰林等。

晉華存儲(chu)器項目采用成(cheng)熟制程的(de)利基型(xing)DRAM。它避開先進(jin)工(gong)藝制程的(de)激烈競爭,而依賴于終端(duan)應用產品,與中國具有全球(qiu)最大的(de)應用市場相匹配,所(suo)以(yi)(yi)未(wei)來的(de)產品市場銷售相對(dui)可能易(yi)于控(kong)(kong)制。不(bu)足(zu)之處據(ju)傳是采用32納米制程啟步,以(yi)(yi)及技術上(shang)由聯電控(kong)(kong)制。

因此從項目(mu)的(de)達成(cheng)率(lv)分(fen)析,晉華項目(mu)相對的(de)成(cheng)熟度較高,而且中方省(sheng)(sheng)心,省(sheng)(sheng)事,只要解決資金供(gong)應(ying),以(yi)及未來產品的(de)市場銷(xiao)售問(wen)題(ti)。

 該(gai)項目未來最大的擔(dan)憂(you)是中方如(ru)何盡快(kuai)的由學生地位(wei)轉變(bian)成(cheng)老(lao)師(shi)。

自主研發

這是一(yi)條(tiao)最(zui)為(wei)艱難之路,因(yin)為(wei)仔細思考目前(qian)除了有錢,技術與人材(cai)都不具備,再加上全(quan)球存儲器壟斷,西方(fang)處處堵截我(wo)們,因(yin)此中國只有狠下一(yi)條(tiao)心,丟掉一(yi)切幻想,加強自主研發,為(wei)國家爭(zheng)一(yi)口氣(qi)。

但是科學技術來不得半(ban)點虛假(jia),必(bi)須遵循(xun)規(gui)律,因此需(xu)要(yao)人材,投入及時間(jian)。目(mu)前第一階段的目(mu)標是2018年,100,000片產能,量產32層3D NAND閃存。

擺在首位的(de)肯定(ding)是(shi)技術(shu)上(shang)迅(xun)速的(de)突(tu)破(po),新芯至少要過32層,多少納米制程尚不(bu)清楚。技術(shu)上(shang)能突(tu)破(po)是(shi)新芯的(de)立足之本。

中(zhong)國存(cun)儲器(qi)業發展可能分成三步(bu):第一步(bu)是盡快的研發成功(gong),早日量產:第二步(bu)是提(ti)高制程技術,并迅速的降低成本;第三步(bu)在全球存(cun)儲器(qi)的下降周期時(shi)逆勢的擴(kuo)充(chong)產能,縮(suo)小(xiao)差距(ju)。

看似簡單的步驟,執行起來經常會受到各種干擾,因此貴在堅(jian)持(chi)。從此點上趙董(dong)事長(chang)有(you)長(chang)處(chu),西北漢子的性格,能勇往(wang)直前,迅速作出(chu)決(jue)斷。然(ran)而中國(guo)半導體業(ye)尚處(chu)在非完(wan)全市(shi)場經濟(ji)階段,有(you)許多非市(shi)場化的因素一定(ding)會導入,讓企業(ye)左右為難(nan),但是最終一定(ding)要作出(chu)抉擇。

尤其是當企業出現虧損時,而且是連(lian)續數年之后,還(huan)要能(neng)說服自己,及(ji)股東能(neng)繼續的投(tou)資(zi),需要鐵婉式的決斷。

近期魏少軍博士講,存(cun)儲器項目最困(kun)難的是項目啟動的三(san)年之后。那時(shi)生產(chan)線(xian)己經開通,關鍵要產(chan)出(chu)有競爭力的市場產(chan)品。否則(ze)盡(jin)管產(chan)品生產(chan)很多,庫(ku)存(cun)也很大,會(hui)帶(dai)來很大的資(zi)金壓(ya)力,這是一(yi)定會(hui)發生的事。

存儲器業(ye)的特征就是起(qi)伏大(da),價格下降快(kuai),不是處于全(quan)球的領(ling)先地位,面臨(lin)虧損的幾率是非常大(da)。

中國存(cun)儲器業要(yao)(yao)取得成(cheng)功(gong),必須踏踏實實的(de)(de)進(jin)行研發,以及遇到(dao)虧(kui)損時要(yao)(yao)堅持,再堅持。但是這一切(qie)唯有通過研發的(de)(de)早(zao)日成(cheng)功(gong),才能扭(niu)轉(zhuan)被動的(de)(de)局面。

所以趙董事長的(de)(de)角色并不好當,既要符合(he)產業發展的(de)(de)需要,又要為投資(zi)的(de)(de)股民(min)謀(mou)福利,有時是(shi)個互相(xiang)矛盾的(de)(de)事。

中(zhong)國發(fa)展(zhan)存儲器業是國策,是塊硬骨(gu)頭,目(mu)前己無退路,只(zhi)有(you)向前挺進。現階段各種模(mo)式都可以嘗試一下,從目(mu)前的態勢肯定走自主(zhu)研發(fa)道路的風險要更大些,因(yin)此要集中(zhong)國內的最(zui)頂級人材,也(ye)可學習臺積電的 夜鶯部隊 方(fang)式,爭(zheng)取更多(duo)的時間去努力攻克它(ta),但是相信只(zhi)有(you)通過自主(zhu)研發(fa)的成果(guo)才是屬于自己的。

另外合資(zi)發展的模(mo)式(shi)可能相對易行,兩岸合作(zuo)實現雙贏是大勢所趨(qu),它對于中國能早日產出存儲(chu)器芯(xin)片是有(you)十(shi)分(fen)重要的意(yi)義。

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